В останні роки індустрія джерел живлення світлодіодних приводів характеризується швидким технологічним прогресом і зростанням попиту на енергозберігаючі рішення. З глобальним поштовхом до сталого розвитку ринок впровадження світлодіодних систем освітлення значно зріс, що, у свою чергу, стимулювало зростання індустрії світлодіодної електроенергетики.
Судячи з ринкової динаміки, галузь є свідком тенденції світлодіодних драйверів, які об’єднують інтелектуальні та програмовані функції, щоб задовольнити зростаючий попит на інтелектуальні освітлювальні рішення. Поява IoT (Інтернету речей) і AI (штучного інтелекту) ускладнила мережі освітлення, а світлодіодні драйвери оптимізували енергоспоживання та адаптувалися до мінливих умов у режимі реального часу.
У енергетичній галузі світлодіодних драйверів ефективність і швидкість перемиканняMOSFET(металооксидні напівпровідникові польові транзистори) мають вирішальне значення. Ці напівпровідникові пристрої є невід’ємною частиною світлодіодних джерел живлення, оскільки вони здатні витримувати високі струми з мінімальними втратами, забезпечуючи енергоефективну роботу. Ключові атрибути технології MOSFET, низький опір увімкнення та можливості швидкого перемикання, покращують конструкції блоків живлення, створюючи компактні, надійні та високопродуктивні світлодіодні драйвери. Досягнення в дизайні MOSFET, наприклад ті, що забезпечують низький заряд затвора та покращені теплові характеристики, продовжують стимулювати розробку рішень для живлення світлодіодного освітлення з акцентом на стійкі, енергоефективні та економічно ефективні застосування.
ЗастосуванняВІНСОКMOSFET в джерелі живлення світлодіодів, основні прикладні моделі:
| Номер деталі | Конфігурація | Тип | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(мОм) | Ciss | Пакет | |||
| @10В | |||||||||||
| (V) | Макс. | Хв. | Тип. | Макс. | Тип. | Макс. | (пФ) | ||||
| неодружений | N-Ch | 30 | 7 | 0,5 | 0,8 | 1.2 | - | - | 572 | СОТ-23-3Л | |
| Подвійний | N-Ch | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 43 | 52 | 870 | СОП-8 | |
| N+P | N-Ch | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 26 | 36 | 670 | СОП-8 | |
| П-Ч | -60 | -4,5 | -1,5 | -2 | -2,5 | 60 | 75 | 500 | |||
| неодружений | N-Ch | 100 | 15 | 1.5 | 2 | 2.5 | 80 | 100 | 940 | ТО-252 | |
| неодружений | N-Ch | 100 | 26 | 2 | 3 | 4 | 32 | 45 | 1350 | ТО-252 | |
Номери інших марок матеріалів, що відповідають наведеному вище WINSOKMOSFETє:
Відповідні номери матеріалів WINSOK MOSFET WST3400: AOS AO3400, AO3400A, AO3404. Onsemi, FAIRCHILD FDN537N. НІКО-СЕМ P3203CMG. Potens Semiconductor PDN3912S. DINTEK ELECTRONICS DTS3406.
Відповідні номери матеріалів WINSOK MOSFET WSP6946: AOS AO4828, AOSD62666E, AOSD6810.Onsemi, FAIRCHILD FDS5351. Potens Semiconductor PDS6810. DINTEK ELECTRONICS DTM4946.
Відповідні номери матеріалів WINSOK MOSFET WSP6067: AOS AO4611, AO4612. Onsemi, FAIRCHILD ECH8690. P5506NV. Potens Semiconductor PDS6710. DINTEK ELECTRONICS DTM9906, DTM9908.
Відповідні номери матеріалів MOSFET WINSOK: AOS AO4611, AO4612.
Відповідні номери матеріалів для WINSOK MOSFET WSF15N10: AOS AOD478, AOD2922.Potens Semiconductor PDD0956.
Відповідні номери матеріалуWINSOK MOSFETWSF40N10 це: AOS AOD2910E, AOD4126.Onsemi, FAIRCHILD FDD3672.NIKO-SEM P1210BDA, P1410BD.Potens Semiconductor PDD0904.DINTEK ELECTRONICS DTU40N10.
Загалом індустрія світлодіодних драйверів готова до постійного зростання завдяки енергоефективності, передовим технологіям і глобальній конвергенції інтелектуальних і стійких освітлювальних рішень.
Час публікації: 06 листопада 2023 р
