В галузі електроніки та автоматизації застосуванняMOSFET(металооксидно-напівпровідникові польові транзистори) стала ключовим чинником у покращенні роботи електронних регуляторів швидкості (ESR). У цій статті буде досліджено, як працюють МОП-транзистори та яку вони відіграють важливу роль в електронному регулюванні швидкості.
Основний принцип роботи MOSFET:
MOSFET — це напівпровідниковий пристрій, який вмикає або вимикає потік електричного струму за допомогою контролю напруги. В електронних регуляторах швидкості МОП-транзистори використовуються як перемикаючі елементи для регулювання струму, що надходить до двигуна, що дозволяє точно контролювати швидкість двигуна.
Застосування MOSFET в електронних регуляторах швидкості:
Завдяки чудовій швидкості перемикання та ефективним можливостям керування струмом MOSFET широко використовуються в електронних регуляторах швидкості в схемах ШІМ (широтно-імпульсна модуляція). Ця програма гарантує, що двигун може працювати стабільно та ефективно за різних умов навантаження.
Виберіть правильний MOSFET:
При розробці електронного регулятора швидкості вибір правильного MOSFET має вирішальне значення. Параметри, які слід враховувати, включають максимальну напругу сток-витік (V_DS), максимальний безперервний струм витоку (I_D), швидкість перемикання та теплові характеристики.
Нижче наведено номери частин застосування MOSFET WINSOK в електронних регуляторах швидкості:
| Номер деталі | Конфігурація | Тип | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(мОм) | Ciss | Пакет | |||
| @10В | |||||||||||
| (V) | Макс. | Хв. | Тип. | Макс. | Тип. | Макс. | (пФ) | ||||
| неодружений | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| неодружений | П-Ч | -30 | -40 | -1,3 | -1,8 | -2,3 | 11 | 14 | 1380 рік | DFN3X3-8 | |
| неодружений | N-Ch | 30 | 100 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 3.3 | 4 | 1350 | DFN5X6-8 | |
| неодружений | N-Ch | 30 | 120 | 1.2 | 1.7 | 2.5 | 1.9 | 2.5 | 4900 | DFN5X6-8 | |
| неодружений | N-Ch | 30 | 150 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 1.8 | 2.4 | 3200 | DFN5X6-8 | |
Відповідні номери матеріалів є такими:
WINSOK WSD3050DN відповідний номер матеріалу: AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939N,NTTFS4C08N.VISHAY SiSA84DN.Nxperian PSMN9R8-30 MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P. НІКО-СЕМ ПЕ5Г6ЕА.
WINSOK WSD30L40DN відповідний номер матеріалу: AOS AON7405,AONR21357,AONR7403,AONR21305C. STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEMP1203EEA,PE507BA.
WINSOK WSD30100DN56 відповідний номер матеріалу: AOS AON6354,AON6572,AON6314,AON6502,AON6510.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP,SiDR390DP,SiRA80DP,SiDR392DP.STMicroelectronics STL65DN3LLH5, STL58N3LLH5.INFINEON/IR BSC014N03LSG,BSC016N03LSG,BSC014N03MSG,BSC016N03MSG.NXP NXPPSMN7R0- 30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEMPK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X.
WINSOK WSD30160DN56 відповідний номер матеріалу: AOS AON6382,AON6384,AON6404A,AON6548.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4834N,NTMFS4C05N.TOSHIBA TPH2R903PL.PANJIT PJQ5426.NIKO-SEM PKE10BB.Potens Semiconductor 02X.
WINSOK WSD30150DN56 відповідний номер матеріалу: AOS AON6512,AONS32304.Onsemi,FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.TOSHIBA TPH1R403NL.PANJIT PJQ5428. NIKO-SEM PKC26BB,PKE24BB.Potens Semiconductor PDC3902X.
Оптимізація роботи електронного регулятора швидкості:
Шляхом оптимізації робочих умов і конструкції схеми MOSFET можна ще більше покращити продуктивність електронного регулятора швидкості. Це включає забезпечення належного охолодження, вибір відповідної схеми драйвера та забезпечення відповідності інших компонентів схеми вимогам продуктивності.
Час публікації: 26 жовтня 2023 р
