Технологія швидкої зарядки, як основна частина сучасного електронного обладнання, швидко розвивається та еволюціонує.Під впливом ринку швидкої зарядки такі галузі, як смартфони та електромобілі, дедалі більше потребують швидких і ефективних рішень для зарядки.Інновації в технології швидкої зарядки не тільки зосереджені на покращенні швидкості зарядки, але й на безпеці.Дивлячись у майбутнє, технологія швидкої зарядки буде поєднана з бездротовою зарядкою та більш ефективною технологією акумулятора, щоб досягти якісного стрибка та надати користувачам більш зручну та екологічну зарядку.З розвитком технологій і розширенням ринку очікується, що індустрія швидких зарядок продовжить стрімке зростання.
Коли ми говоримо про застосуванняMOSFETу технології швидкої зарядки насправді є кілька головних болів.
Перш за все тому, що для швидкої зарядки потрібен великий струмMOSFETбуде сильно нагріватися, і як впоратися з цим теплом стає великою проблемою.Крім того, існують проблеми з ефективністю.При швидкому перемиканні MOSFET легко втрачає частину своєї енергії, що впливає на ефективність зарядки.Крім того, очікується, що обладнання для швидкої зарядки буде якомога меншим, але для цього потрібно, щоб МОП-транзистор був невеликим і також мав справу з проблемою тепла.Оскільки MOSFET швидко перемикається, він може заважати іншому електронному обладнанню, що також є проблемою.Нарешті, середовище швидкої зарядки має високі вимоги до витримуваної напруги та струму МОП-транзисторів, що є тестом на їх продуктивність.Робота в такому середовищі протягом тривалого часу також може вплинути на термін служби та надійність.Коротше кажучи, хоча MOSFET має вирішальне значення для швидкої зарядки, він стикається з багатьма проблемами.
ВІНСОКMOSFET може допомогти вам вирішити зазначені вище проблеми.Основні моделі застосування WINSOK MOSFET для швидкої зарядки:
| Номер частини | Конфігурація | Тип | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(мОм) | Ciss | Пакет | |||
| @10В | |||||||||||
| (V) | Макс. | Хв. | Тип. | Макс. | Тип. | Макс. | (пФ) | ||||
| неодружений | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| неодружений | П-Ч | -30 | -40 | -1,3 | -1,8 | -2,3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| неодружений | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | СОП-8 | |
| неодружений | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | СОП-8 | |
| неодружений | П-Ч | -30 | -8,2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 рік | СОП-8 | |
| неодружений | П-Ч | -30 | -13 | -1,2 | -2 | -2,5 | 9.6 | 15 | 1550 рік | СОП-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | СОП-8 | |
| П-Ч | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
| неодружений | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | ТО-220 | |
Інші номери матеріалів бренду, що відповідають наведеному вище WINSOK MOSFET:
Відповідні номери матеріалів WINSOK MOSFET WSD3050DN: AOS AON7318, AON7418, AON7428, AON7440, AON7520, AON7528, AON7544, AON7542. Onsemi, FAIRCHILD NTTFS4939N, NTTFS4C08N. VISHAY SiSA84DN. Nxperian PSMN 9R8-30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
Відповідні номери матеріалів WINSOK MOSFET WSD30L40DN: AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA,PE507BA.
Відповідні номери матеріалів WINSOK MOSFET WSP6020: AOS AO4262E, AO4264E, AO4268.Onsemi, FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS6904-5.
Відповідні номери матеріалів WINSOK MOSFET WSP16N10: AOS AO4290, AO4290A, AO4294, AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Відповідні номери матеріалів WINSOK MOSFET WSP4435: AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO4803A,AO4807,AO4813.Onsemi,FAIRCHILD FDS4465BZ,FDS6685.VI SHAY Si4431CDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DTM4437.
Відповідні номери матеріалів WINSOK MOSFET WSP4407: AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3LLH 6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
Відповідні номери матеріалів WINSOK MOSFET WSP4606: AOS AO4606, AO4630, AO4620, AO4924, AO4627, AO4629, AO4616.Onsemi, FAIRCHILD ECH8661, FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.Sinopower SM4901C SK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELECTRONICS DTM4606,DTM4606BD,DTM4606BDY.
Відповідні номери матеріалів WINSOK MOSFET WSR80N10: AOS AOTF290L.Onsemi, FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON, IR IPP086N10N3 G ,IPP086N10N3 G.NXP PSMN9R5-1 00PS.TOSHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Час публікації: 28 листопада 2023 р
