-
Різниця між N-канальним MOSFET і P-канальним MOSFET! Допоможіть вам краще вибрати виробника MOSFET!
Вибираючи МОП-транзистори, розробники схем, мабуть, замислювалися над питанням: що їм вибрати Р-канальний МОП-транзистор чи N-канальний МОП-транзистор? Як виробник, ви повинні хотіти, щоб ваші продукти конкурували з іншими продавцями за нижчими цінами, і ви...Читати далі -
Детальне пояснення принципової схеми MOSFET | Аналіз внутрішньої структури польового транзистора
MOSFET є одним із основних компонентів у напівпровідниковій промисловості. В електронних схемах МОП-транзистор зазвичай використовується в схемах підсилювача потужності або в схемах імпульсного джерела живлення і широко використовується. Нижче OLUKEY надасть вам...Читати далі -
Olukey пояснює для вас параметри MOSFET!
Як один із найпростіших пристроїв у галузі напівпровідників, МОП-транзистор широко використовується як у розробці мікросхем, так і в схемах на рівні плати. Отже, скільки ви знаєте про різні параметри MOSFET? Як спеціаліст із середнього та низького...Читати далі -
Olukey: Давайте поговоримо про роль MOSFET в базовій архітектурі швидкої зарядки
Основна структура джерела живлення швидкого заряджання QC використовує зворотний хід + вторинну сторону (вторинний) синхронного випрямлення SSR. Для зворотних перетворювачів, відповідно до методу дискретизації зворотного зв'язку, його можна розділити на: первинну сторону (прима...Читати далі -
Скільки ви знаєте про параметри MOSFET? OLUKEY аналізує це для вас
«MOSFET» — це абревіатура від Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor. Це пристрій, виготовлений з трьох матеріалів: металу, оксиду (SiO2 або SiN) і напівпровідника. MOSFET є одним із найпростіших пристроїв у галузі напівпровідників. ...Читати далі -
Як вибрати MOSFET?
Останнім часом, коли багато клієнтів приходять до Olukey, щоб проконсультуватися щодо МОП-транзисторів, вони задають питання, як вибрати відповідний МОП-транзистор? Щодо цього питання, Олукей відповість кожному. Перш за все, нам потрібно зрозуміти князя...Читати далі -
Принцип роботи N-канального MOSFET режиму покращення
(1) Керуючий вплив vGS на ідентифікатор і канал ① Випадок vGS=0 Можна побачити, що між стоком d і витоком s МОП-транзистора в режимі покращення є два прямих PN-переходу. Коли напруга затвор-витік vGS=0, навіть якщо...Читати далі -
Взаємозв’язок між упаковкою MOSFET і параметрами, як вибрати FET з відповідною упаковкою
①Упаковка плагінів: TO-3P, TO-247, TO-220, TO-220F, TO-251, TO-92; ②Тип монтажу на поверхні: TO-263, TO-252, SOP-8, SOT-23, DFN5*6, DFN3*3; Різні форми упаковки, відповідний граничний струм, напруга та ефект розсіювання тепла MO...Читати далі -
Що означають три контакти G, S і D пакетного MOSFET?
Це упакований MOSFET піроелектричний інфрачервоний датчик. Прямокутна рамка є сенсорним вікном. Вивід G є клемою заземлення, висновок D є внутрішнім стоком MOSFET, а контакт S є внутрішнім джерелом MOSFET. У ланцюзі, ...Читати далі -
Важливість силового MOSFET у розробці та проектуванні материнської плати
Перш за все, дуже важлива схема роз’єму процесора. Має бути достатньо місця для установки вентилятора ЦП. Якщо він знаходиться занадто близько до краю материнської плати, буде важко встановити радіатор процесора в деяких випадках, коли...Читати далі -
Коротко розповім про спосіб виробництва потужного MOSFET тепловідводу
Конкретний план: потужний MOSFET пристрій розсіювання тепла, включаючи порожнистий корпус і друковану плату. Друкована плата розміщена в корпусі. До обох кінців схеми підключено кілька розташованих поруч МОП-транзисторів...Читати далі -
Пакет FET DFN2X2 з одним P-каналом 20 В-40 В модельне розташування_WINSOK MOSFET
Корпус WINSOK MOSFET DFN2X2-6L, один P-канальний польовий транзистор, напруга 20-40 В. Моделі підсумовані таким чином: 1. Модель: WSD8823DN22 одиночний P-канал -20 В -3,4 A, внутрішній опір 60 мОм Відповідні моделі: AOS: AON2403 ON Semiconductor: FDM ...Читати далі
