WSD30150DN56 N-канальний 30V 150A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Огляд продукції WINSOK MOSFET
Напруга MOSFET WSD30150DN56 становить 30 В, сила струму 150 А, опір 1,8 мОм, канал N-канальний, корпус DFN5X6-8.
Області застосування WINSOK MOSFET
E-сигарети MOSFET, бездротова зарядка MOSFET, дрони MOSFET, медична допомога MOSFET, автомобільні зарядні пристрої MOSFET, контролери MOSFET, цифрові продукти MOSFET, мала побутова техніка MOSFET, побутова електроніка MOSFET.
WINSOK MOSFET відповідає номерам матеріалів інших брендів
AOS MOSFET AON6512,AONS3234.
Onsemi, FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.
NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.
MOSFET TOSHIBA TPH1R43NL.
PANJIT MOSFET PJQ5428.
MOSFET NIKO-SEM PKC26BB,PKE24BB.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC392X.
Параметри MOSFET
| символ | Параметр | Рейтинг | одиниці |
| VDS | Напруга витік-витік | 30 | V |
| VGS | Гейт-Соуrce Напруга | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Постійний струм стоку, ВGS@ 10 В1,7 | 150 | A |
| ID@TC=100℃ | Постійний струм стоку, ВGS@ 10 В1,7 | 83 | A |
| IDM | Імпульсний струм стоку2 | 200 | A |
| EAS | Лавинна енергія одного імпульсу3 | 125 | mJ |
| IAS | Лавинна течія | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Загальна потужність розсіювання4 | 62.5 | W |
| TSTG | Діапазон температур зберігання | -55 до 150 | ℃ |
| TJ | Діапазон робочих температур переходу | -55 до 150 | ℃ |
| символ | Параметр | Умови | Хв. | Тип. | Макс. | одиниця |
| BVDSS | Напруга пробою сток-витік | VGS=0В , ІD=250 мкА | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSТемпературний коефіцієнт | Посилання на 25℃, яD=1 мА | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS (УВІМК.) | Статичний опір витоку-витоку2 | VGS=10В, ID=20А | --- | 1.8 | 2.4 | mΩ |
| VGS=4,5 В, ID=15А | 2.4 | 3.2 | ||||
| VGS(th) | Порогова напруга затвора | VGS=VDS, яD=250 мкА | 1.4 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(й) | VGS(й)Температурний коефіцієнт | --- | -6,1 | --- | мВ/℃ | |
| IDSS | Струм витоку сток-витік | VDS=24В, ВGS=0В, ТJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24В, ВGS=0В, ТJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Струм витоку затвор-витік | VGS=±20В, ВDS=0В | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Пряма транспровідність | VDS=5В, ІD=10А | --- | 27 | --- | S |
| Rg | Опір воріт | VDS=0В, ВGS=0 В, f=1 МГц | --- | 0,8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Загальний заряд затвора (4,5 В) | VDS=15В, ВGS=4,5 В, ID=30А | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Заряд затвора-джерела | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | Заряд затвора-стоку | --- | 11.4 | --- | ||
| Td (увімкнено) | Час затримки ввімкнення | VDD=15В, ВГЕН=10В , РG=6Ω, яD=1A, RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Час підйому | --- | 12 | --- | ||
| Td (вимкнено) | Час затримки вимкнення | --- | 69 | --- | ||
| Tf | Осінній час | --- | 29 | --- | ||
| Cвип | Вхідна ємність | VDS=15В, ВGS=0 В, f=1 МГц | 2560 | 3200 | 3850 | pF |
| Кос | Вихідна ємність | 560 | 680 | 800 | ||
| Crss | Зворотна передавальна ємність | 260 | 320 | 420 |
