WSD30L88DN56 Dual P-channel -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Короткий опис:

Номер моделі:WSD30L88DN56

BVDSS:30В

RDSON:11,5 мОм

ID:-49А

канал:Подвійний P-канал

пакет:ДФН5*6-8

Опис продукту:Напруга WSD30L88DN56 MOSFET становить -30 В, сила струму - 49 А, опір - 11,5 мОм, канал - Dual P-channel, а корпус - DFN5*6-8.

Застосування:Електронні сигарети, бездротова зарядка, двигуни, дрони, медичне обслуговування, автомобільні зарядні пристрої, контролери, цифрові продукти, дрібна побутова техніка, побутова електроніка.

Надішліть нам електронний лист PDF

Деталі продукту

застосування

Теги товарів

Загальний опис

WSD30L88DN56 — це найпродуктивніший МОП-транзистор із подвійним P-Ch із надзвичайно високою щільністю комірок, який забезпечує чудовий RDSON і заряд затвора для більшості додатків синхронного понижувального перетворювача.WSD30L88DN56 відповідає вимогам RoHS і Green Product 100% гарантія EAS із схваленою повною надійністю функцій.

Особливості

Удосконалена технологія Trench з високою щільністю осередків ，Наднизький заряд затвора ，Відмінне зниження ефекту CdV/dt ，100% гарантія EAS ，Екологічний пристрій доступний.

Додатки

Високочастотна синхронна точка навантаження，Понижуючий конвертер для MB/NB/UMPC/VGA，Мережева система живлення DC-DC，Перемикач навантаження，Електронні сигарети, бездротова зарядка, двигуни, дрони, медичне обслуговування, автомобільні зарядні пристрої, контролери, цифрові продукти, дрібна побутова техніка, побутова електроніка.

відповідний номер матеріалу

AOS

Важливі параметри

символ	Параметр	Рейтинг	одиниці
VDS	Напруга витік-витік	-30	V
VGS	Напруга затвор-вихід	±20	V
ID@TC=25 ℃	Постійний струм витоку, VGS @ -10V1	-49	A
ID@TC=100 ℃	Постійний струм витоку, VGS @ -10V1	-23	A
IDM	Імпульсний струм стоку2	-120	A
EAS	Енергія лавини одного імпульсу3	68	mJ
PD@TC=25 ℃	Загальна потужність розсіювання4	40	W
TSTG	Температурний діапазон зберігання	-55 до 150	℃
TJ	Діапазон робочих температур переходу	-55 до 150	℃