WSM340N10G N-канальний 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

WSM340N10G N-канальний 100 В 340 А TOLL-8L WINSOK MOSFET Рекомендоване зображення

Короткий опис:

Номер моделі:WSM340N10G

BVDSS:100В

RDSON:1,6 мОм

ID:340A

канал:N-канал

пакет:ТОЛ-8Л

Опис продукту:Напруга WSM340N10G MOSFET становить 100 В, сила струму 340 А, опір 1,6 мОм, канал N-канальний, корпус TOLL-8L.

Застосування:Медичне обладнання, дрони, блоки живлення PD, LED блоки живлення, промислове обладнання та ін.

Надішліть нам електронний лист PDF

Деталі продукту

застосування

Теги товарів

Загальний опис

WSM340N10G — це найпродуктивніший N-Ch MOSFET з надзвичайно високою щільністю комірок, який забезпечує чудовий RDSON і заряд затвора для більшості додатків синхронного понижувального перетворювача.WSM340N10G відповідає вимогам RoHS і Green Product, 100% гарантія EAS із схваленою повною надійністю функцій.

Особливості

Удосконалена технологія Trench з високою щільністю осередків, надзвичайно низький заряд затвора, чудове зниження ефекту CdV/dt, 100% гарантія EAS, екологічний пристрій доступний.

Додатки

Синхронне випрямлення, перетворювач DC/DC, перемикач навантаження, медичне обладнання, дрони, джерела живлення PD, джерела живлення світлодіодів, промислове обладнання тощо.

Важливі параметри

Абсолютні максимальні рейтинги

символ	Параметр	Рейтинг	одиниці
VDS	Напруга витік-витік	100	V
VGS	Напруга затвор-вихід	±20	V
ID@TC=25 ℃	Постійний струм витоку, VGS @ 10 В	340	A
ID@TC=100 ℃	Постійний струм витоку, VGS @ 10 В	230	A
IDM	Імпульсний струм стоку..TC=25°C	1150	A
EAS	Енергія лавини, один імпульс, L=0,5 мГн	1800 рік	mJ
IAS	Лавинний струм, один імпульс, L=0,5 мГн	120	A
PD@TC=25 ℃	Загальна потужність розсіювання	375	W
PD@TC=100 ℃	Загальна потужність розсіювання	187	W
TSTG	Температурний діапазон зберігання	-55 до 175	℃
TJ	Діапазон робочих температур переходу	175	℃

Електричні характеристики (TJ=25 ℃, якщо не вказано інше)

символ	Параметр	Умови	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
БВДСС	Напруга пробою сток-витік	VGS=0V , ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Температурний коефіцієнт BVDSS	Посилання на 25 ℃, ID=1 мА	---	0,096	---	В/℃
RDS (УВІМК.)	Статичний опір витоку-витоку	VGS=10В, ID=50A	---	1.6	2.3	мОм
VGS(th)	Порогова напруга затвора	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	VGS(th) Температурний коефіцієнт	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5,5	---	мВ/℃
IDSS	Струм витоку сток-витік	VDS=85 В, VGS=0 В, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Струм витоку сток-витік	VDS=85 В, VGS=0 В, TJ=55 ℃	---	---	10	uA
IGSS	Струм витоку затвор-витік	VGS=±25В, VDS=0В	---	---	±100	nA
Rg	Опір воріт	VDS=0В, VGS=0В, f=1МГц	---	1.0	---	Ω
Qg	Загальний заряд затвора (10 В)	VDS=50В, VGS=10В, ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Заряд затвора-джерела		---	80	---
Qgd	Заряд затвора-стоку		---	60	---
Td (увімкнено)	Час затримки ввімкнення	VDD=50В, VGS=10В,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Час підйому		---	50	---
Td (вимкнено)	Час затримки вимкнення		---	228	---
Tf	Осінній час		---	322	---
Ciss	Вхідна ємність	VDS=40В, VGS=0В, f=1МГц	---	13900	---	pF
Кос	Вихідна ємність		---	6160	---
Крос	Зворотна передавальна ємність		---	220	---