WSP4099 Dual P-Channel -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Загальний опис
WSP4099 — це потужний P-ch MOSFET з високою щільністю осередків.Він забезпечує відмінний RDSON і заряд затвора, що робить його придатним для більшості додатків синхронного понижувального перетворювача.Він відповідає стандартам RoHS і GreenProduct і має 100% гарантію EAS із повним схваленням надійності функцій.
Особливості
Удосконалена технологія Trench із високою щільністю осередків, наднизьким зарядом затвора, відмінним затуханням ефекту CdV/dt і 100% гарантією EAS — це всі функції наших екологічно чистих пристроїв, які легко доступні.
Додатки
Високочастотний синхронний понижуючий перетворювач точки навантаження для MB/NB/UMPC/VGA, мережева система живлення DC-DC, перемикач навантаження, електронні сигарети, бездротова зарядка, двигуни, дрони, медичне обслуговування, автомобільні зарядні пристрої, контролери, цифрові продукти , дрібна побутова техніка та побутова електроніка.
відповідний номер матеріалу
НА FDS4685, VISHAY Si4447ADY, TOSHIBA TPC8227-H, PANJIT PJL9835A, Sinopower SM4405BSK, dintek DTM4807, ruichips RU40S4H.
Важливі параметри
| символ | Параметр | Рейтинг | одиниці |
| VDS | Напруга витік-витік | -40 | V |
| VGS | Напруга затвор-вихід | ±20 | V |
| ID@TC=25 ℃ | Постійний струм витоку, -VGS @ -10V1 | -6,5 | A |
| ID@TC=100 ℃ | Постійний струм витоку, -VGS @ -10V1 | -4,5 | A |
| IDM | Імпульсний струм стоку2 | -22 | A |
| EAS | Енергія лавини одного імпульсу3 | 25 | mJ |
| IAS | Лавинна течія | -10 | A |
| PD@TC=25 ℃ | Загальна потужність розсіювання4 | 2.0 | W |
| TSTG | Температурний діапазон зберігання | -55 до 150 | ℃ |
| TJ | Діапазон робочих температур переходу | -55 до 150 | ℃ |
| символ | Параметр | Умови | Хв. | Тип. | Макс. | одиниця |
| БВДСС | Напруга пробою сток-витік | VGS=0V , ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Температурний коефіцієнт BVDSS | Посилання на 25 ℃, ID=-1 мА | --- | -0,02 | --- | В/℃ |
| RDS (УВІМК.) | Статичний опір витоку-витоку при включенні2 | VGS=-10В, ID=-6,5A | --- | 30 | 38 | мОм |
| VGS=-4,5 В, ID=-4,5 А | --- | 46 | 62 | |||
| VGS(th) | Порогова напруга затвора | VGS=VDS , ID =-250uA | -1,5 | -2,0 | -2,5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Температурний коефіцієнт | --- | 3.72 | --- | В/℃ | |
| IDSS | Струм витоку сток-витік | VDS=-32 В, VGS=0 В, TJ=25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-32 В, VGS=0 В, TJ=55 ℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Струм витоку затвор-витік | VGS=±20В, VDS=0В | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Пряма транспровідність | VDS=-5V , ID=-4A | --- | 8 | --- | S |
| Qg | Загальний заряд затвора (-4,5 В) | VDS=-20В, VGS=-4,5В, ID=-6,5A | --- | 7.5 | --- | nC |
| Qgs | Заряд затвора-джерела | --- | 2.4 | --- | ||
| Qgd | Заряд затвора-стоку | --- | 3.5 | --- | ||
| Td (увімкнено) | Час затримки ввімкнення | VDD=-15В, VGS=-10В, RG=6Ω, ID=-1A, RL=20Ω | --- | 8.7 | --- | ns |
| Tr | Час підйому | --- | 7 | --- | ||
| Td (вимкнено) | Час затримки вимкнення | --- | 31 | --- | ||
| Tf | Осінній час | --- | 17 | --- | ||
| Ciss | Вхідна ємність | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 668 | --- | pF |
| Кос | Вихідна ємність | --- | 98 | --- | ||
| Крос | Зворотна передавальна ємність | --- | 72 | --- |
