WSP4099 Dual P-Channel -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

короткий опис:

Номер моделі:WSP4099

BVDSS:-40В

RDSON:30 мОм

ID:-6,5А

канал:Подвійний P-канал

пакет:СОП-8

Опис продукту:MOSFET WSP4099 має напругу -40 В, силу струму -6,5 А, опір 30 мОм, подвійний P-канальний і поставляється в корпусі SOP-8.

Застосування:Електронні сигарети, бездротова зарядка, двигуни, дрони, медицина, автозарядні пристрої, контролери, цифрові продукти, дрібна побутова техніка, побутова електроніка.

Надішліть нам електронний лист PDF

Деталі продукту

застосування

Теги товарів

Загальний опис

WSP4099 — це потужний P-ch MOSFET з високою щільністю комірок. Він забезпечує відмінний RDSON і заряд затвора, що робить його придатним для більшості додатків синхронного понижувального перетворювача. Він відповідає стандартам RoHS і GreenProduct і має 100% гарантію EAS із повним схваленням надійності функцій.

особливості

Удосконалена технологія Trench із високою щільністю осередків, наднизьким зарядом затвора, відмінним затуханням ефекту CdV/dt і 100% гарантією EAS — усі функції наших екологічно чистих пристроїв доступні.

Додатки

Високочастотний синхронний понижуючий перетворювач точки навантаження для MB/NB/UMPC/VGA, мережева система живлення DC-DC, перемикач навантаження, електронні сигарети, бездротова зарядка, двигуни, дрони, медичне обслуговування, автомобільні зарядні пристрої, контролери, цифрові продукти , дрібна побутова техніка та побутова електроніка.

відповідний номер матеріалу

НА FDS4685, VISHAY Si4447ADY, TOSHIBA TPC8227-H, PANJIT PJL9835A, Sinopower SM4405BSK, dintek DTM4807, ruichips RU40S4H.

Важливі параметри

символ	Параметр	Рейтинг	одиниці
VDS	Напруга витік-витік	-40	V
VGS	Напруга затвор-вихід	±20	V
ID@TC=25 ℃	Постійний струм витоку, -VGS @ -10V1	-6,5	A
ID@TC=100 ℃	Постійний струм витоку, -VGS @ -10V1	-4,5	A
IDM	Імпульсний струм стоку2	-22	A
EAS	Енергія лавини одного імпульсу3	25	mJ
IAS	Лавинна течія	-10	A
PD@TC=25 ℃	Загальна потужність розсіювання4	2.0	W
TSTG	Діапазон температур зберігання	-55 до 150	℃
TJ	Діапазон робочих температур переходу	-55 до 150	℃

символ	Параметр	Умови	Хв.	Тип.	Макс.	одиниця
БВДСС	Напруга пробою сток-витік	VGS=0V , ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Температурний коефіцієнт BVDSS	Посилання на 25 ℃, ID=-1 мА	---	-0,02	---	В/℃
RDS (УВІМК.)	Статичний опір витоку-витоку при включенні2	VGS=-10В, ID=-6,5A	---	30	38	мОм
RDS (УВІМК.)	Статичний опір витоку-витоку при включенні2	VGS=-4,5 В, ID=-4,5 А	---	46	62	мОм
VGS(th)	Порогова напруга затвора	VGS=VDS , ID =-250uA	-1,5	-2,0	-2,5	V
△VGS(th)	VGS(th) Температурний коефіцієнт	VGS=VDS , ID =-250uA	---	3.72	---	В/℃
IDSS	Струм витоку сток-витік	VDS=-32 В, VGS=0 В, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Струм витоку сток-витік	VDS=-32 В, VGS=0 В, TJ=55 ℃	---	---	5	uA
IGSS	Струм витоку затвор-витік	VGS=±20В, VDS=0В	---	---	±100	nA
gfs	Пряма транспровідність	VDS=-5V , ID=-4A	---	8	---	S
Qg	Загальний заряд затвора (-4,5 В)	VDS=-20В, VGS=-4,5В, ID=-6,5A	---	7.5	---	nC
Qgs	Заряд затвора-джерела		---	2.4	---
Qgd	Заряд затвора-стоку		---	3.5	---
Td (увімкнено)	Час затримки ввімкнення	VDD=-15В, VGS=-10В, RG=6Ω, ID=-1A, RL=20Ω	---	8.7	---	ns
Tr	Час підйому		---	7	---
Td (вимкнено)	Час затримки вимкнення		---	31	---
Tf	Осінній час		---	17	---
Ciss	Вхідна ємність	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	668	---	pF
Кос	Вихідна ємність		---	98	---
Крос	Зворотна передавальна ємність		---	72	---