Основна ідентифікація та тестування MOSFET

1. Ідентифікація контакту MOSFET

Ворота сMOSFET є базою транзистора, а стік і витік є колектором і емітеромвідповідний транзистор. Мультиметр із механізмом R × 1k із двома ручками для вимірювання опору прямого та зворотного ходу між двома штифтами. Коли двоконтактний прямий опір = зворотний опір = KΩ, тобто два висновки для витоку S і стоку D, решта висновку є затвором G. Якщо це 4-контактнийпереходу MOSFET, іншим полюсом є використання заземленого екрану.

Основна ідентифікація та тестування MOSFET 拷贝

2.Визначте ворота　

Чорною ручкою мультиметра торкніться MOSFET випадкового електрода, червоною ручкою торкніться двох інших електродів. Якщо обидва виміряні опори невеликі, що вказує на те, що обидва мають позитивний опір, трубка належить до N-канального МОП-транзистора, той самий контакт чорного пера також є затвором.

Виробничий процес вирішив, що стік і витік MOSFET є симетричними, і їх можна обмінювати один одним, і це не вплине на використання схеми, схема також нормальна в цей час, тому немає необхідності йти до надмірного розрізнення. Опір між стоком і витоком становить близько кількох тисяч Ом. Неможливо використовувати цей метод для визначення затвора ізольованого затвора типу MOSFET. Оскільки вхідний опір цього МОП-транзистору є надзвичайно високим, а міжполярна ємність між затвором і витоком дуже мала, вимірювання навіть невеликої кількості заряду може бути сформовано поверх міжполярної ємності. ємності надзвичайно високої напруги, MOSFET буде дуже легко пошкодити.

Основна ідентифікація та тестування MOSFET (1)

3. Оцінка можливостей підсилення MOSFET

Коли мультиметр встановлено на R × 100, використовуйте червону ручку, щоб підключити джерело S, і використовуйте чорну ручку, щоб підключити стік D, що схоже на додавання напруги 1,5 В до MOSFET. У цей час стрілка показує значення опору між полюсами DS. У цей час пальцем потрібно затиснути затвор G, індукована напруга тіла як вхідний сигнал до затвора. Через роль підсилення MOSFET, ID і UDS зміняться, що означає, що опір між полюсами DS змінився, ми можемо спостерігати, що стрілка має велику амплітуду коливання. Якщо рука затисне ворота, коливання голки буде дуже малим, тобто здатність посилення MOSFET відносно слабка; якщо стрілка не має найменших дій, це означає, що MOSFET був пошкоджений.