Коротко розповім про спосіб виробництва потужного MOSFET тепловідводу

Пристрій розсіювання тепла містить корпус 100 з порожнистою структурою та друковану плату 101. Плата 101 розміщена в корпусі 100. Кілька розташованих поруч MOSFET 102 з’єднані з обома кінцями друкованої плати 101 через контакти. Він також включає в себе блок 103 тиску розсіювання тепла для стиснення MOSFET 102 таким чином, щоб MOSFET 102 знаходився близько до внутрішньої стінки корпусу 100. Блок 103 тиску розсіювання тепла має перший канал 104 циркулюючої води, що проходить через нього. Перший канал 104 циркулюючої води вертикально розташований з декількома MOSFET 102, розташованими поруч.
Блок 103 тиску розсіювання тепла притискає MOSFET 102 до внутрішньої стінки корпусу 100, і частина тепла MOSFET 102 відводиться до корпусу 100. Інша частина тепла передається до блоку 103 розсіювання тепла, і корпус 100 розсіює тепло в повітрі. Тепло блоку 103 розсіювання тепла відбирається охолоджувальною водою в першому каналі 104 циркулюючої води, що покращує ефект розсіювання тепла MOSFET 102. У той же час частина тепла, що виділяється іншими компонентами в корпусі, 100 також подається до блоку 103 тиску розсіювання тепла. Таким чином, блок 103 тиску розсіювання тепла може додатково знижувати температуру в корпусі 100 і покращити ефективність роботи та термін служби інших компонентів у корпусі 100; Корпус 100 має порожнисту структуру, тому тепло нелегко накопичується в корпусі 100, таким чином запобігаючи перегріву та вигоранню друкованої плати 101. Бічна стінка корпусу 100 забезпечена другим каналом 105 для циркуляції води, паралельним першому каналу 104 для циркуляції води, а другий канал 105 для циркуляції води розташований поблизу відповідного MOSFET 102. Зовнішня стінка корпусу 100 забезпечена канавкою 108 для розсіювання тепла. Тепло корпусу 100 в основному відводиться через охолоджуючу воду в другому каналі 105 циркулюючої води. Інша частина тепла розсіюється через канавку 108 розсіювання тепла, що покращує ефект розсіювання тепла корпусом 100. Блок 103 тиску розсіювання тепла забезпечений декількома різьбовими отворами 107. Блок 103 тиску розсіювання тепла нерухомо з’єднаний з внутрішню стінку корпусу 100 через гвинти. Гвинти вкручуються в різьбові отвори блоку тиску 103 розсіювання тепла через різьбові отвори на бічних стінках корпусу 100.

У цьому винаході з’єднувальний елемент 109 відходить від краю блоку 103 тиску розсіювання тепла. З’єднувальний елемент 109 забезпечений низкою різьбових отворів 107. З’єднувальний елемент 109 нерухомо з’єднаний із внутрішньою стінкою корпусу 100. через гвинти. Опорні планки 106 розташовані з обох боків внутрішньої стінки корпусу 100 для підтримки друкованої плати 101. Коли блок 103 тиску розсіювання тепла нерухомо з’єднаний із внутрішньою стінкою корпусу 100, друкована плата 101 притискається між бічні стінки блоку 103 тиску розсіювання тепла та опорні стрижні 106. Під час встановлення друкована плата 101 спочатку розміщується на поверхні опорної планки 106, а нижня частина блоку 103 тиску розсіювання тепла притискається до верхньої поверхні друкованої плати 101. Потім блок 103 тиску розсіювання тепла кріпиться до внутрішньої стінки корпусу 100 з гвинтами. Між блоком 103 тиску розсіювання тепла та опорною планкою 106 утворюється затискна канавка для затискання друкованої плати 101 для полегшення встановлення та видалення друкованої плати 101. У той же час плата 101 знаходиться близько до розсіювання тепла. напірний блок 103 . Таким чином, тепло, вироблене друкованою платою 101, передається до блоку 103 тиску розсіювання тепла, а блок 103 тиску розсіювання тепла відводиться охолоджувальною водою в першому каналі 104 циркулюючої води, таким чином запобігаючи перегріву друкованої плати 101 і горіння. Переважно, ізоляційна плівка розташована між MOSFET 102 і внутрішньою стінкою корпусу 100, а ізоляційна плівка розташована між блоком 103 тиску розсіювання тепла і MOSFET 102.

Пристрій розсіювання тепла MOSFET високої потужності містить корпус 200 з порожнистою структурою та друковану плату 202. Плата 202 розташована в корпусі 200. Кілька розташованих поруч MOSFET 202 відповідно підключені до обох кінців схеми плата 202 через контакти, а також включає в себе блок 203 тиску розсіювання тепла для стиснення MOSFET 202 так, щоб MOSFET 202 знаходилися близько до внутрішньої стінки корпусу 200. Перший канал 204 циркулюючої води проходить через блок 203 тиску розсіювання тепла. Перший канал 204 циркулюючої води вертикально розташований із кількома розташованими поруч MOSFET 202. Бічна стінка корпусу забезпечена трубою 205 розсіювання тепла, перпендикулярною до перший канал 204 для циркуляції води, а один кінець труби 205 для розсіювання тепла забезпечується тіло 206 розсіювання. Інший кінець закритий, і тіло 206 розсіювання тепла та труба 205 розсіювання тепла утворюють замкнуту внутрішню порожнину, а холодоагент розташований у внутрішній порожнині. MOSFET 202 виділяє тепло і випаровує холодоагент. Під час випаровування він поглинає тепло з кінця, що нагрівається (близько до кінця MOSFET 202), а потім тече від кінця, що нагрівається, до кінця, що охолоджує (від кінця MOSFET 202). Коли він стикається з холодом на кінці охолодження, він виділяє тепло на зовнішню периферію стінки труби. Потім рідина тече до нагрівального кінця, утворюючи таким чином контур розсіювання тепла. Це розсіювання тепла через випаровування та рідину набагато краще, ніж розсіювання тепла звичайними теплопровідниками. Корпус 206 розсіювання тепла містить кільце 207 розсіювання тепла, нерухомо з’єднане з трубою 205 розсіювання тепла, і ребро 208 розсіювання тепла, нерухомо з’єднане з кільцем 207 розсіювання тепла; ребро 208 розсіювання тепла також нерухомо з'єднане з охолоджуючим вентилятором 209.

Кільце 207 розсіювання тепла і труба 205 розсіювання тепла мають велику відстань для встановлення, так що кільце розсіювання тепла 207 може швидко передавати тепло в трубі 205 розсіювання тепла до радіатора 208 для досягнення швидкого розсіювання тепла.