Ви знаєте визначення MOSFET?

MOSFET, відомий як метал-оксид-напівпровідниковий польовий транзистор, є широко використовуваним електронним пристроєм, який належить до типу польових транзисторів (FET). Основна структураMOSFETскладається з металевого затвора, оксидного ізоляційного шару (зазвичай діоксид кремнію SiO₂) і напівпровідникового шару (зазвичай кремнію Si). Принцип роботи полягає в управлінні напругою затвора для зміни електричного поля на поверхні або всередині напівпровідника, таким чином контролюючи струм між витоком і стоком.

MOSFETможна розділити на два основних типи: N-канальнийMOSFET(NMOS) і P-каналMOSFET(PMOS). У NMOS, коли напруга на затворі позитивна щодо джерела, на поверхні напівпровідника утворюються провідні канали n-типу, що дозволяє електронам текти від джерела до стоку. У PMOS, коли напруга на затворі негативна щодо джерела, на поверхні напівпровідника утворюються провідні канали p-типу, що дозволяє отворам текти від джерела до стоку.

MOSFETмають багато переваг, таких як високий вхідний опір, низький рівень шуму, низьке енергоспоживання та легкість інтеграції, тому вони широко використовуються в аналогових схемах, цифрових схемах, управлінні живленням, силовій електроніці, системах зв’язку та інших областях. В інтегральних схемах,MOSFETє основними блоками, які складають логічні схеми CMOS (комплементарного металооксидного напівпровідника). Схеми CMOS поєднують переваги NMOS і PMOS і характеризуються низьким енергоспоживанням, високою швидкістю і високою інтеграцією.

Крім того,MOSFETможуть бути класифіковані на тип посилення та тип виснаження залежно від того, чи є їхні провідні канали попередньо сформованими. Тип покращенняMOSFETнапруга на затворі дорівнює нулю, коли канал не є провідним, необхідно застосувати певну напругу на затворі для формування провідного каналу; при цьому тип виснаженняMOSFETколи напруга затвора дорівнює нулю, коли канал уже є провідним, напруга затвора використовується для контролю провідності каналу.

Підсумовуючи,MOSFETце польовий транзистор на основі металооксидної напівпровідникової структури, який регулює струм між витоком і стоком шляхом контролю напруги на затворі, і має широкий спектр застосувань і важливе технічне значення.