Існує багато варіацій символів схем, які зазвичай використовуються для MOSFET. Найпоширенішим дизайном є пряма лінія, що представляє канал, дві лінії, перпендикулярні каналу, що представляють джерело та стік, і коротша лінія, паралельна каналу зліва, представляє ворота. Іноді пряму лінію, що представляє канал, також замінюють на переривану лінію, щоб розрізнити режим покращенняMOSFET або MOSFET в режимі виснаження, який також поділяється на N-канальний MOSFET і P-канальний MOSFET два типи символів схеми, як показано на малюнку (напрямок стрілки інший).
Силові MOSFET працюють двома основними способами:
(1) Коли позитивна напруга додається до D і S (стік позитивний, джерело негативний) і UGS=0, PN-перехід у P-області тіла та N-стоку має зворотне зміщення, і струм між D не проходить. і S. Якщо між G і S додати позитивну напругу UGS, струм затвора не буде протікати, оскільки затвор ізольований, але позитивна напруга на затворі відштовхне дірки від області P під ним, і електрони неосновних носіїв будуть притягуватися до поверхні P-області. Коли UGS перевищує певну напругу UT, концентрація електронів на поверхні P-області під затвором перевищуватиме концентрацію дірок, таким чином роблячи напівпровідниковий шар P-типу напівпровідником N-типу. ; цей шар антишаблону утворює канал N-типу між витоком і стоком, так що PN-перехід зникає, витік і стік є провідними, і струм стоку ID протікає через стік. UT називається напругою включення або пороговою напругою, і чим більше UGS перевищує UT, тим більшою є провідна здатність і тим більше ID. Чим більше UGS перевищує UT, тим сильніша провідність, тим більше ID.
(2) Коли D, S плюс негативна напруга (джерело позитивне, стік негативний), PN-перехід має пряме зміщення, що еквівалентно внутрішньому зворотному діоду (не має характеристик швидкого відгуку), тобтоMOSFET не має можливості зворотного блокування, може розглядатися як компоненти зворотної провідності.
За допомогоюMOSFET принцип роботи можна побачити, його провідність тільки одна полярність носіїв, що беруть участь у провідності, тому також відомий як уніполярний транзистор. Привід MOSFET часто базується на параметрах джерела живлення IC і MOSFET для вибору відповідної схеми, MOSFET зазвичай використовується для перемикання схема приводу джерела живлення. При проектуванні імпульсного джерела живлення з використанням MOSFET більшість людей враховують опір увімкнення, максимальну напругу та максимальний струм MOSFET. Однак люди дуже часто враховують лише ці фактори, щоб схема могла працювати належним чином, але це не є хорошим конструктивним рішенням. Для більш детального проектування MOSFET також повинен враховувати інформацію про власні параметри. Для певного MOSFET, його керуюча схема, піковий струм на виході приводу тощо впливатимуть на продуктивність перемикання MOSFET.
Час публікації: 17 травня 2024 р
