Зараз, із швидким розвитком науки і техніки, напівпровідники використовуються у все більшій кількості галузей промисловості, в якихMOSFET також вважається дуже поширеним напівпровідниковим пристроєм, наступним кроком буде зрозуміти, яка різниця між характеристиками біполярного силового кристалічного транзистора та вихідної потужності MOSFET.
1, спосіб роботи
MOSFET - це робота, необхідна для сприяння робочій напрузі, принципові схеми пояснюються відносно просто, сприяють невеликій потужності; Кристалічний транзистор потужності - це потік потужності для сприяння дизайну програми є більш складним, щоб сприяти специфікації вибору важко просувати специфікації, що поставить під загрозу загальну швидкість перемикання джерела живлення.
2, загальна швидкість перемикання джерела живлення
MOSFET, на який впливає температура, невеликий, вихідна потужність перемикання джерела живлення може забезпечити більше 150 кГц; Потужний кристалічний транзистор має дуже мало часу зберігання вільного заряду, що обмежує швидкість перемикання джерела живлення, але його вихідна потужність, як правило, не перевищує 50 кГц.
3、Безпечна робоча зона
Силовий MOSFET не має вторинної основи, а безпечна робоча зона широка; Силовий кристалічний транзистор має вторинну базову ситуацію, яка обмежує безпечну робочу зону.
4. Робоча напруга електричного провідника
потужністьMOSFET належить до типу високої напруги, провідність робоча вимога робоча напруга вище, є позитивний температурний коефіцієнт; Силовий кристалічний транзистор незалежно від того, скільки грошей стійкий до робочої напруги, робоча напруга електричного провідника є нижчою та має негативний температурний коефіцієнт.
5, максимальний потік потужності
Силовий MOSFET у ланцюзі імпульсного джерела живлення ланцюга живлення ланцюга живлення як перемикач джерела живлення, в роботі та стабільній роботі в середині, максимальний потік потужності нижчий; і силовий кристалічний транзистор у роботі та стабільній роботі в середині, максимальний потік потужності вище.
6、Вартість продукту
Вартість потужності MOSFET трохи вище; вартість потужності кристалічного тріода трохи нижче.
7、Ефект проникнення
Power MOSFET не має ефекту проникнення; силовий кристалічний транзистор має ефект проникнення.
8、Втрата перемикання
Втрати на перемикання MOSFET не великі; Втрати на перемикання силового кристалічного транзистора є відносно великими.
Крім того, переважна більшість потужних MOSFET інтегрований амортизуючий діод, тоді як біполярний силовий кристалічний транзистор майже не має вбудованого амортизаційного діода. MOSFET амортизуючий діод також може бути універсальним магнітом для перемикання ланцюгів джерела живлення магнітних котушок, щоб надати кут коефіцієнта потужності каналу безпеки потоку електроенергії. Польова трубка в амортизуючому діоді в усьому процесі вимикання із загальним діодом, оскільки існує зворотний потік струму відновлення, у цей час діод, з одного боку, займає позитивний полюс стоку - джерело в середині значного підвищення робочої напруги, з іншого боку, і зворотний струм відновлення.
Час публікації: 29 травня 2024 р
