Існує багато моделей МОП-транзисторів (метал-оксид-напівпровідник польовий транзистор), кожна з яких має свої специфічні параметри напруги, струму та потужності. Нижче наведено спрощену таблицю перехресних посилань на моделі MOSFET, яка включає деякі загальні моделі та їхні ключові параметри:
Зверніть увагу, що в таблиці вище наведено лише деякі моделі МОП-транзисторів та їхні ключові параметри, а на реальному ринку існує більше моделей і специфікацій МОП-транзисторів. Крім того, параметри МОП-транзисторів можуть відрізнятися залежно від виробника та партії, тому вам слід звернутися до конкретних технічних характеристик продуктів або зв’язатися з виробником для отримання точної інформації під час вибору та використання МОП-транзисторів.
Форма корпусу MOSFET також є одним із важливих факторів, які слід враховувати при виборі. Загальні форми упаковки включають TO-92, SOT-23, TO-220 тощо, кожна з яких має свій власний розмір, розташування контактів і теплові характеристики. При виборі форми упаковки необхідно визначити конкретні сценарії застосування та потреби.
Слід також зазначити, що МОП-транзистори класифікуються на два типи, N-канальні та P-канальні, а також різні режими роботи, такі як покращення та виснаження. Ці різні типи MOSFET мають різні застосування та характеристики продуктивності в схемах, тому необхідно вибрати відповідний тип MOSFET на основі конкретних вимог до конструкції.
Час публікації: 30 вересня 2024 р
