Знайомство з принципом роботи широко використовуваних потужних MOSFET

Сьогодні на загальновживаних високопотужнихMOSFETкоротко представити принцип його роботи. Подивіться, як він реалізує свою роботу.

 

Metal-Oxide-Semiconductor, тобто Metal-Oxide-Semiconductor, саме ця назва описує структуру MOSFET в інтегральній схемі, тобто: у певній структурі напівпровідникового пристрою, поєднаної з діоксидом кремнію та металом, утворення воріт.

 

Витік і стік MOSFET є протилежними, обидва є зонами N-типу, утвореними в задньому затворі P-типу. У більшості випадків дві області однакові, навіть якщо два кінці регулювання не вплинуть на продуктивність пристрою, такий пристрій вважається симетричним.

 

Класифікація: відповідно до типу матеріалу каналу та типу ізольованого затвора кожного N-каналу та двох P-каналів; відповідно до режиму провідності: MOSFET поділяється на виснаження та посилення, тому MOSFET поділяється на N-канальне виснаження та посилення; Виснаження P-каналу та посилення чотирьох основних категорій.

Принцип дії MOSFET - структурна характеристикаMOSFETвін проводить лише носії однієї полярності (поліс), що беруть участь у провідності, є уніполярним транзистором. Провідний механізм такий самий, як у малопотужного MOSFET, але структура має велику різницю, малопотужний MOSFET є горизонтальним провідним пристроєм, більша частина силового MOSFET вертикальної провідної структури, також відомої як VMOSFET, яка значно покращує MOSFET здатність пристрою витримувати напругу і струм. Основною особливістю є те, що між металевим затвором і каналом є шар кремнеземної ізоляції, і тому він має високий вхідний опір, трубка проводить у двох зонах дифузії з високими концентраціями n, утворюючи провідний канал n-типу. МОП-транзистори з n-канальним розширенням повинні застосовуватися до затвора з прямим зміщенням і лише тоді, коли напруга джерела затвора перевищує порогову напругу провідного каналу, створюваного n-канальним МОП-транзистором. МОП-транзистори з n-канальним виснаженням типу є n-канальними МОП-транзисторами, в яких провідні канали генеруються без напруги на затворі (напруга джерела затвора дорівнює нулю).

 

Принцип роботи MOSFET полягає в тому, щоб контролювати кількість «індукованого заряду» за допомогою VGS для зміни стану провідного каналу, утвореного «індукованим зарядом», а потім досягти мети керування струмом стоку. У виробництві труб, через процес ізоляційного шару в появі великої кількості позитивних іонів, тому на іншій стороні розділу може бути індукований більш негативний заряд, ці негативні заряди до високого проникнення домішок у N області, пов’язаної з утворенням провідного каналу, навіть у VGS = 0 також існує великий струм витоку ID. коли напруга на затворі змінюється, величина заряду, індуктованого в каналі, також змінюється, а також змінюється ширина і вузькість каналу, а отже, і струм витоку ID з напругою на затворі. поточний ID змінюється залежно від напруги затвора.

 

Тепер застосуванняMOSFETзначно покращив навчання людей, ефективність роботи, покращуючи якість нашого життя. Ми маємо більш раціональне розуміння цього через деяке просте розуміння. Мало того, що він буде використовуватися як інструмент, більше розуміння його характеристик, принципу роботи, що також доставить нам масу задоволення.