MOSFET (метал-оксид-напівпровідниковий польовий транзистор) часто вважаються повністю керованими пристроями. Це пояснюється тим, що робочий стан (увімкнено або вимкнено) MOSFET повністю контролюється напругою затвора (Vgs) і не залежить від струму бази, як у випадку біполярного транзистора (BJT).
У MOSFET напруга на затворі Vgs визначає, чи утворюється провідний канал між витоком і стоком, а також ширину та провідність провідного каналу. Коли Vgs перевищує порогову напругу Vt, формується провідний канал і MOSFET переходить у ввімкнений стан; коли Vgs падає нижче Vt, провідний канал зникає, і MOSFET перебуває в стані відсікання. Цей контроль повністю контрольований, оскільки напруга на затворі може незалежно і точно контролювати робочий стан MOSFET, не покладаючись на інші параметри струму або напруги.
Навпаки, на робочий стан напівкерованих пристроїв (наприклад, тиристорів) впливає не тільки керуюча напруга або струм, а й інші фактори (наприклад, анодна напруга, струм тощо). У результаті повністю керовані пристрої (наприклад, МОП-транзистори) зазвичай пропонують кращу продуктивність з точки зору точності керування та гнучкості.
Таким чином, МОП-транзистори є повністю керованими пристроями, робочий стан яких повністю контролюється напругою затвора, і мають такі переваги, як висока точність, висока гнучкість і низьке енергоспоживання.
Час публікації: 20 вересня 2024 р
