Польовий транзистор скорочено називаєтьсяMOSFET.Існує два основних типи: трубки з ефектом поля та металооксидні напівпровідникові трубки з ефектом поля. MOSFET також відомий як уніполярний транзистор з більшістю носіїв, що беруть участь у провідності. Це напівпровідникові прилади, керовані напругою. Завдяки високому вхідному опору, низькому шуму, низькому енергоспоживанню та іншим характеристикам він є сильним конкурентом біполярним транзисторам і потужним транзисторам.
I. Основні параметри MOSFET
1, параметри постійного струму
Струм стоку насичення можна визначити як струм стоку, що відповідає коли напруга між затвором і витоком дорівнює нулю, а напруга між стоком і витоком перевищує напругу віджиму.
Напруга віджиму UP: UGS, необхідний для зменшення ID до невеликого струму, коли UDS визначений;
Напруга ввімкнення UT: UGS необхідна для приведення ID до певного значення, коли UDS визначено.
2、Параметри змінного струму
Низькочастотна транспровідність gm: описує керуючий вплив напруги затвора та джерела на струм стоку.
Міжполюсна ємність: ємність між трьома електродами MOSFET, чим менше значення, тим краща продуктивність.
3、Ліміт параметрів
Напруга пробою стоку, джерела: коли струм стоку різко зростає, це призведе до лавинного пробою, коли UDS.
Напруга пробою затвора: нормальна робота трубки з ефектом поля з’єднання, затвор і джерело між PN-переходом у стані зворотного зміщення, струм занадто великий, щоб викликати пробою.
II. ХарактеристикаMOSFET
MOSFET має функцію підсилення та може утворювати підсилену схему. У порівнянні з тріодом він має такі характеристики.
(1) МОП-транзистор є пристроєм, керованим напругою, а потенціал контролюється UGS;
(2) Струм на вході MOSFET надзвичайно малий, тому його вхідний опір дуже високий;
(3) Його температурна стабільність хороша, оскільки він використовує основні носії для провідності;
(4) Коефіцієнт підсилення напруги його схеми підсилення менший, ніж у тріода;
(5) Він більш стійкий до радіації.
по-третє,MOSFET і порівняння транзисторів
(1) MOSFET джерело, затвор, сток і тріод джерело, база, заданий полюс відповідає ролі подібних.
(2) МОП-транзистор є струмовим пристроєм із керуванням напругою, коефіцієнт посилення малий, здатність посилення низька; тріод - це пристрій напруги, керований струмом, здатність підсилення сильна.
(3) Ворота MOSFET в основному не приймають струм; і тріодної роботи база буде поглинати певний струм. Тому вхідний опір затвора MOSFET вищий, ніж вхідний опір тріода.
(4) Провідний процес MOSFET має участь політрона, а тріод має участь двох типів носіїв, політрона та оліготрона, і його концентрація оліготрону сильно залежить від температури, випромінювання та інших факторів, отже, MOSFET має кращу температурну стабільність і радіаційну стійкість, ніж транзистор. MOSFET слід вибирати, коли умови навколишнього середовища сильно змінюються.
(5) Коли МОП-транзистор підключений до металу витоку та підкладки, витік і стік можна поміняти місцями, і характеристики не змінюються, тоді як коли колектор і емітер транзистора поміняються, характеристики відрізняються і значення β зменшується.
(6) Коефіцієнт шуму MOSFET невеликий.
(7) MOSFET і тріод можуть складатися з різноманітних схем підсилювача та комутаційних схем, але перший споживає менше енергії, має високу термічну стабільність, широкий діапазон напруги живлення, тому він широко використовується у великих і надвеликих масштабні інтегральні схеми.
(8) Опір увімкнення тріода великий, а опір увімкнення MOSFET невеликий, тому MOSFET зазвичай використовуються як перемикачі з більшою ефективністю.
Час публікації: 16 травня 2024 р
