Ізоляційний шар затвора типу MOSFET псевдонімMOSFET (далі - MOSFET), який має оболонку кабелю з діоксиду кремнію в середині напруги затвора та стоку джерела.
MOSFET такожN-канал і P-канал дві категорії, але кожна категорія поділяється на два типи посилення та зменшення світла, таким чином, існує чотири типи:Покращення N-каналу, Посилення P-каналу, N-канальне освітлення, тип P-каналу. Але там, де напруга джерела затвора дорівнює нулю, струм стоку також дорівнює нулю труби, яка посилюється. Однак, якщо напруга джерела затвора дорівнює нулю, струм стоку не дорівнює нулю, класифікуються як лампи, що споживають світло.
Покращений принцип MOSFET:
Під час роботи в середині джерела затвора не використовується напруга, середина джерела стоку PN перехід знаходиться в протилежному напрямку, тому не буде провідного каналу, навіть якщо середина джерела стоку з напругою, провідна траншея електрики закрита, не можна мати робочий струм згідно. Коли середина джерела затвора плюс напруга позитивного напрямку до певного значення, в середині джерела стоку буде створено провідний канал безпеки, так що провідна траншея, щойно створена цим напругою джерела затвора, називається напругою відкритого ходу VGS, Чим більше середина напруги джерела затвора, тим провідні канали ширші, що, у свою чергу, забезпечує більший потік електрики.
Принцип розсіювання світла MOSFET:
Під час роботи напруга в середині витоку затвора не використовується, на відміну від МОП-транзистора посиленого типу, а в середині витоку стоку існує провідний канал, тому до середини витоку стоку додається лише позитивна напруга, яка призводить до течії струму стоку. Крім того, джерело затвора в середині позитивного напрямку напруги, розширення провідного каналу, додавання протилежного напрямку напруги, провідний канал стискається, через потік електрики буде меншим, із покращенням порівняння MOSFET, він також може бути в позитивній і негативній кількості певної кількості областей всередині провідного каналу.
Ефективність MOSFET:
По-перше, MOSFET використовуються для збільшення. Оскільки вхідний опір MOSFET підсилювача дуже високий, конденсатор фільтра може бути меншим, без необхідності застосовувати електролітичні конденсатори.
По-друге, MOSFET дуже високий вхідний опір особливо підходить для перетворення характеристичного імпедансу. Зазвичай використовується у вхідному каскаді багаторівневого підсилювача для перетворення характеристичного опору.
MOSFET можна використовувати як регульований резистор.
По-четверте, MOSFET може бути зручним як джерело живлення постійного струму.
V. MOSFET можна використовувати як комутаційний елемент.
Час публікації: 23 липня 2024 р
