Розуміння принципів роботи МОП-транзисторів (метал-оксид-напівпровідник польових транзисторів) має вирішальне значення для ефективного використання цих високоефективних електронних компонентів. МОП-транзистори є незамінними елементами в електронних пристроях, і розуміння їх важливо для виробників.
На практиці є виробники, які можуть не повністю оцінити специфічні функції MOSFET під час їх застосування. Тим не менш, зрозумівши принципи роботи МОП-транзисторів в електронних пристроях і їх відповідні ролі, можна стратегічно вибрати найбільш підходящий МОП-транзистор, беручи до уваги його унікальні характеристики та особливості продукту. Цей метод підвищує ефективність продукту, підвищуючи його конкурентоспроможність на ринку.
Корпус WINSOK SOT-23-3 MOSFET
Принципи роботи MOSFET
Коли напруга затвор-витік (VGS) MOSFET дорівнює нулю, навіть із застосуванням напруги сток-витік (VDS), завжди існує PN-перехід у зворотному зміщенні, що призводить до відсутності провідного каналу (і відсутності струму) між стік і витік MOSFET. У цьому стані струм стоку (ID) MOSFET дорівнює нулю. Подача позитивної напруги між затвором і витоком (VGS > 0) створює електричне поле в ізоляційному шарі SiO2 між затвором MOSFET і кремнієвою підкладкою, спрямоване від затвора до кремнієвої підкладки P-типу. Враховуючи, що оксидний шар є ізоляційним, напруга, прикладена до затвора, VGS, не може генерувати струм у MOSFET. Замість цього він утворює конденсатор поперек шару оксиду.
Коли VGS поступово збільшується, конденсатор заряджається, створюючи електричне поле. Притягнуті позитивною напругою на затворі, численні електрони накопичуються з іншого боку конденсатора, утворюючи провідний канал N-типу від стоку до витоку в MOSFET. Коли VGS перевищує порогову напругу VT (зазвичай близько 2 В), N-канал MOSFET проводить провідність, ініціюючи потік струму стоку ID. Напруга затвор-витік, при якій канал починає формуватися, називається пороговою напругою VT. Контролюючи величину VGS і, отже, електричне поле, можна модулювати величину ID струму стоку в MOSFET.
Корпус MOSFET WINSOK DFN5x6-8
Програми MOSFET
MOSFET відомий своїми відмінними комутаційними характеристиками, що призводить до його широкого застосування в схемах, які вимагають електронних перемикачів, таких як імпульсні джерела живлення. У низьковольтних додатках із використанням джерела живлення 5 В використання традиційних структур призводить до падіння напруги на базі-емітері біполярного транзистора (приблизно 0,7 В), залишаючи лише 4,3 В для кінцевої напруги, прикладеної до затвора MOSFET. У таких сценаріях вибір MOSFET з номінальною напругою затвора 4,5 В створює певні ризики. Ця проблема також проявляється в додатках, що включають 3 В або інші джерела живлення низької напруги.
Час публікації: 27 жовтня 2023 р
