Якщо транзистор можна назвати найбільшим винаходом 20 століття, то безсумнівно, щоMOSFET в якому велика заслуга. 1925 рік, на основі основних принципів патентів MOSFET, опублікованих у 1959 році, Bell Labs винайшов принцип MOSFET на основі структурного дизайну. До цього дня великі перетворювачі в потужність, малі в пам'ять, центральний процесор та інші основні компоненти електронного обладнання, жоден з них не використовується для MOSFET. Отже, далі ми розуміємо функцію структури MOSFET це! Повна назва МОП-транзистора — польовий транзистор метал-оксид-напівпровідник.
1. Основні функції MOSFET
Основне ключове слово про MOSFET – напівпровідник, а напівпровідник – це свого роду металевий матеріал, він може проводити електрику, але насправді він також може бути ізольованим. MOSFET як різновид напівпровідникового пристрою, він потрібен нам для реалізації функції простого це головним чином можливість забезпечити циркуляцію схеми, а також можливість реалізувати схему блокування.
2. Базова структура MOSFET
МОП-транзистор є дуже універсальним силовим пристроєм через низьку потужність приводу затвора, чудову швидкість перемикання та потужну паралельну роботу. Багато потужних МОП-транзисторів мають поздовжню вертикальну структуру з витоком і стоком у протилежних площинах пластини, що дозволяє протікати великим струмам і застосовувати високу напругу.
3. МОП-транзистори в основному використовуються як основні пристрої живлення у двох сферах
(1), вимоги до робочої частоти від 10 кГц до 70 кГц, тоді як вихідна потужність повинна бути менше 5 кВт у полі, у переважній більшості випадків у цьому полі, хоча IGBT і потужністьMOSFET може досягти відповідної функції, але силові МОП-транзистори, як правило, покладаються на нижчі втрати комутації, менший розмір і відносно низьку вартість, щоб стати оптимальним вибором, репрезентативними застосуваннями є плати РК-телевізорів, індукційні плити тощо.
(2), вимоги до робочої частоти вищі, ніж найвища частота, яку можна досягти іншими силовими пристроями, поточна максимальна частота в основному становить 70 кГц або близько того, у цій області потужністьMOSFET став єдиним вибором, репрезентативними застосуваннями є інвертори, аудіообладнання тощо.
Час публікації: 18 травня 2024 р
