ІнверторMOSFETпрацюють у комутаційному стані, і струм, що протікає через трубки, є дуже високим. Якщо трубку вибрано неправильно, амплітуда керуючої напруги недостатньо велика або розсіювання тепла ланцюгом погане, це може призвести до нагрівання MOSFET.
1, нагрів MOSFET інвертора серйозний, слід звернути увагу на вибір MOSFET
MOSFET в інверторі в стані перемикання, як правило, вимагає, щоб його струм стоку був якомога більшим, опір увімкнення якомога меншим, що може зменшити падіння напруги насичення трубки, тим самим зменшуючи трубку, оскільки споживання, зменшує тепло.
Перевірте керівництво MOSFET, ми побачимо, що чим вище значення витримуваної напруги MOSFET, тим більший його опір увімкнення, а у випадку з високим струмом стоку та низьким значенням витримуваної напруги трубки, його опір увімкненому стані, як правило, нижче десятків міліом.
Припускаючи, що струм навантаження становить 5 А, ми вибираємо інвертор, який зазвичай використовується MOSFET RU75N08R, і значення витримуваної напруги 500 В може бути 840, їхній струм стоку становить 5 А або більше, але опір увімкнення двох трубок різний, керуйте однаковим струмом , їх теплорізниця дуже велика. Опір увімкнення 75N08R становить лише 0,008 Ом, тоді як опір увімкнення 840 становить 0,85 Ом, коли струм навантаження, що протікає через трубку, становить 5 А, падіння напруги на трубці 75N08R становить лише 0,04 В, у цей час споживання трубки MOSFET становить лише 0,2 Вт, тоді як падіння напруги на трубці 840 може досягати 4,25 Вт, споживання лампи досягає 21,25 Вт. Звідси видно, що чим менший опір увімкнення MOSFET інвертора, тим краще, опір увімкнення трубки великий, споживання трубки під високим струмом. Опір увімкнення MOSFET інвертора настільки ж малий. наскільки можливо.
2, керуюча схема амплітуди керуючої напруги недостатньо велика
MOSFET - це пристрій контролю напруги, якщо ви хочете зменшити споживання трубки, зменшіть тепло,MOSFETАмплітуда напруги затвора повинна бути достатньо великою, щоб фронт імпульсу був крутим і прямим, ви можете зменшити падіння напруги на трубці, зменшити споживання лампи.
3, розсіювання тепла MOSFET не є поважною причиною
ІнверторMOSFETопалення серйозне. Оскільки енергоспоживання інверторного MOSFET велике, для роботи зазвичай потрібна достатньо велика зовнішня площа радіатора, а зовнішній радіатор і сам MOSFET між радіатором повинні знаходитися в тісному контакті (зазвичай потрібно покрити теплопровідним силіконовим мастилом). ), якщо зовнішній радіатор менший або контакт із власним радіатором MOSFET недостатньо близький, це може призвести до нагрівання трубки.
Інверторний MOSFET нагрів серйозний Є чотири причини для резюме.
Невелике нагрівання MOSFET є нормальним явищем, але серйозне нагрівання, навіть що призводить до спалення трубки, є наступні чотири причини:
1, проблема схемотехніки
Нехай MOSFET працює в лінійному робочому стані, а не в стані комутаційної схеми. Це також одна з причин нагрівання MOSFET. Якщо N-MOS виконує перемикання, напруга G-рівня має бути на кілька В вищою, ніж джерело живлення, щоб повністю ввімкнутись, тоді як P-MOS – навпаки. Не повністю відкритий і падіння напруги занадто велике, що призводить до споживання електроенергії, еквівалентний імпеданс постійного струму більший, падіння напруги збільшується, тому U * I також збільшується, втрати означають тепло. Це помилка, якої найчастіше уникають при проектуванні схеми.
2, занадто висока частота
Основна причина полягає в тому, що іноді надмірна гонитва за обсягом, що призводить до збільшення частоти, втрати MOSFET на великих, тому тепло також збільшується.
3, недостатньо теплового дизайну
Якщо струм занадто високий, для досягнення номінального значення струму MOSFET зазвичай потрібно добре розсіювання тепла. Отже, ідентифікатор менший за максимальний струм, він також може погано нагріватися, потрібен достатній допоміжний радіатор.
4, неправильний вибір MOSFET
Неправильне судження про потужність, внутрішній опір MOSFET не повністю враховано, що призводить до збільшення імпедансу перемикання.
Час публікації: 22 квітня 2024 р
