Це упаковкаMOSFETпіроелектричний інфрачервоний датчик.Прямокутна рамка є сенсорним вікном.Вивід G є клемою заземлення, висновок D є внутрішнім стоком MOSFET, а контакт S є внутрішнім джерелом MOSFET.У схемі G підключено до землі, D підключено до позитивного джерела живлення, інфрачервоні сигнали надходять із вікна, а електричні сигнали виводяться з S.
Судні ворота Г
Драйвер MOS в основному відіграє роль формування форми сигналу та покращення керування: якщо сигнал G сигналуMOSFETнедостатньо крутий, це призведе до великої втрати потужності під час етапу перемикання.Його побічним ефектом є зниження ефективності перетворення схеми.MOSFET буде мати сильну температуру і його легко пошкодити теплом.Існує певна ємність між MOSFETGS., якщо здатність керування сигналом G недостатня, це серйозно вплине на час стрибка форми сигналу.
Замкніть полюс GS, виберіть рівень R×1 мультиметра, підключіть чорний випробувальний провід до полюса S, а червоний випробувальний провід до полюса D.Опір має становити від кількох Ом до більше десяти Ом.Якщо виявлено, що опір певного штиря та його двох штирів є нескінченним, і він все ще є нескінченним після обміну випробувальними проводами, це підтверджує, що цей штифт є полюсом G, оскільки він ізольований від двох інших штифтів.
Визначити джерело S і стік D
Встановіть мультиметр на R×1k і виміряйте опір між трьома контактами відповідно.Використовуйте метод заміни випробувального щупа, щоб двічі виміряти опір.Опір із нижчим значенням опору (зазвичай від кількох тисяч Ом до понад десяти тисяч Ом) є опором прямому ходу.У цей час чорний випробувальний провідник є полюсом S, а червоний випробувальний кінець підключений до полюса D.Через різні умови тестування виміряне значення RDS(on) вище типового значення, наведеного в посібнику.
проMOSFET
Транзистор має канал N-типу, тому його називають N-канальнимMOSFET, абоNMOS.Також існує P-канальний MOS (PMOS) польовий транзистор, який є PMOSFET, що складається з злегка легованого BACKGATE N-типу та витоку та стоку P-типу.
Незалежно від МОП-транзистора N-типу або P-типу, його принцип роботи по суті однаковий.MOSFET керує струмом на стоці вихідного терміналу за допомогою напруги, що подається на затвор вхідного терміналу.МОП-транзистор - це пристрій, керований напругою.Він керує характеристиками пристрою через напругу, що подається на затвор.Це не викликає ефекту зберігання заряду, спричиненого базовим струмом, коли для перемикання використовується транзистор.Тому під час перемикання програмMOSFETповинні перемикатися швидше, ніж транзистори.
Свою назву польовий транзистор також отримав через те, що його вхід (званий затвором) впливає на струм, що протікає через транзистор, проектуючи електричне поле на ізоляційний шар.Насправді струм через цей ізолятор не протікає, тому струм GATE трубки FET дуже малий.
Найпоширеніший FET використовує тонкий шар діоксиду кремнію як ізолятор під GATE.
Цей тип транзисторів називається металооксидно-напівпровідниковим (MOS) транзистором або металооксидно-напівпровідниковим польовим транзистором (MOSFET).Оскільки МОП-транзистори менші та енергоефективніші, вони замінили біполярні транзистори в багатьох додатках.
Час публікації: 10 листопада 2023 р
