На які параметри слід звернути увагу при виборі Triode і MOSFET?

Електронні компоненти мають електричні параметри, тому при виборі типу важливо залишити достатній запас для електронних компонентів, щоб забезпечити стабільність і тривалу роботу електронних компонентів. Далі коротко представимо метод вибору тріода та MOSFET.

Тріод — це пристрій із керуванням потоком, МОП-транзистор — це пристрій із керуванням напругою, між ними є подібність, при виборі необхідно враховувати витримувану напругу, струм та інші параметри.

 

1, відповідно до вибору максимальної витримуваної напруги

Тріодний колектор С і емітер Е можуть витримувати максимальну напругу між параметром V (BR) CEO, напруга між CE під час роботи не повинна перевищувати зазначеного значення, інакше Тріод буде остаточно пошкоджений.

Максимальна напруга також існує між стоком D і витоком S MOSFET під час використання, і напруга на DS під час роботи не повинна перевищувати вказане значення. Взагалі кажучи, значення витримуваної напругиMOSFETзначно вище, ніж Тріод.

 

2, максимальна здатність до перевантаження по струму

Тріод має параметр ICM, тобто можливість перевантаження по струму колектора, а здатність MOSFET до перевантаження по струму виражається через ID. Під час поточної роботи струм, що протікає через Triode/MOSFET, не може перевищувати вказане значення, інакше пристрій буде спалено.

Враховуючи робочу стабільність, зазвичай допускається запас 30%-50% або навіть більше.

3、Робоча температура

Чіпси промислового класу: загальний діапазон від 0 до +70 ℃;

Чіпси промислового класу: загальний діапазон від -40 до +85 ℃;

Мікросхеми військового класу: загальний діапазон від -55 ℃ до +150 ℃;

Вибираючи МОП-транзистор, оберіть відповідну мікросхему відповідно до випадку використання виробу.

 

4, відповідно до вибору частоти перемикання

І Тріод іMOSFETмають параметри частота перемикання/час відгуку. У разі використання у високочастотних ланцюгах час відгуку комутаційної трубки повинен відповідати умовам використання.

 

5、Інші умови відбору

Наприклад, параметр Ron увімкненого опору MOSFET, напруга включення VTHMOSFET, і так далі.

 

Кожен у виборі MOSFET, ви можете комбінувати вищезазначені пункти для вибору.