Одним із інженерів, які прагнули обговорити цю тему, був один із інженерів щодо потужних MOSFET, тому ми зібрали загальні та незвичайні знання проMOSFET, я сподіваюся допомогти інженерам. Давайте поговоримо про MOSFET, дуже важливий компонент!
Антистатичний захист
Потужний MOSFET - це ізольована трубка з ефектом поля затвора, затвор не є ланцюгом постійного струму, вхідний опір надзвичайно високий, дуже легко викликати агрегацію статичного заряду, в результаті чого висока напруга буде затвором і джерелом ізоляційний шар між пробою.
Більшість МОП-транзисторів раннього виробництва не мають антистатичних заходів, тому будьте дуже обережні під час зберігання та застосування, особливо МОП-транзисторів меншої потужності, оскільки вхідна ємність МОП-транзисторів меншої потужності є відносно невеликою, під впливом статичної електрики створюється вища напруга, яка легко спричиняється електростатичним пробою.
Нещодавнє вдосконалення потужних MOSFET є відносно великою різницею, перш за все, завдяки функції більшої вхідної ємності також більшої, так що контакт із статичною електрикою має процес заряджання, що призводить до меншої напруги, викликаючи пробій можливості меншого, а потім знову, тепер потужного MOSFET у внутрішньому затворі та витоку затвора та витоку захищеного регулятора DZ, статичний вбудований у захист регулятора діод значення регулятора напруги Нижче, ефективно захистіть затвор і джерело ізоляційного шару, різна потужність, різні моделі регулятора захисту MOSFET діодного регулятора напруги значення різне.
Незважаючи на те, що внутрішній захист MOSFET високої потужності, ми повинні працювати відповідно до антистатичних робочих процедур, які повинні бути у кваліфікованого обслуговуючого персоналу.
Виявлення та заміна
Під час ремонту телевізорів та електрообладнання можна зіткнутися з різними пошкодженнями компонентів,MOSFETтакож є серед них, як наш обслуговуючий персонал використовує широко використовуваний мультиметр для визначення хорошого та поганого, хорошого та поганого MOSFET. У разі заміни MOSFET, якщо немає того самого виробника та тієї ж моделі, як замінити проблему.
1, потужний MOSFET тест:
Як загальний персонал з ремонту електричних телевізорів під час вимірювання кристалічних транзисторів або діодів, як правило, використовує звичайний мультиметр для визначення хороших і поганих транзисторів або діодів, хоча оцінка електричних параметрів транзистора або діода не може бути підтверджена, але доки метод є правильним для підтвердження кристалічних транзисторів "добре" і "погано" або "погано" для підтвердження кристалічних транзисторів. «Погано» або немає проблем. Подібним чином може бути MOSFET
Застосовувати мультиметр для визначення його «добре» і «погано», із загального обслуговування, також може задовольнити потреби.
Для виявлення необхідно використовувати мультиметр зі стрілочним типом (цифровий вимірювальний прилад не підходить для вимірювання напівпровідникових приладів). Для комутаційної трубки MOSFET силового типу є N-канальне розширення, продукти виробників майже всі використовують ту саму форму упаковки TO-220F (відноситься до імпульсного джерела живлення для потужності 50-200 Вт комутаційної трубки з ефектом поля) , розташування трьох електродів також є послідовним, тобто трьома
Шпильками вниз, модель друку обличчям до себе, лівий штифт для затвора, правий тестовий штифт для джерела, середній штифт для стоку.
(1) мультиметр та відповідні препарати:
Перш за все, перед вимірюванням слід вміти використовувати мультиметр, особливо застосування омічної передачі, щоб зрозуміти, що блок Ом буде правильним застосуванням блоку Ом для вимірювання кристалічного транзистора таMOSFET.
У блоці мультиметрів ом центр шкали не може бути занадто великим, бажано менше ніж 12 Ω (таблиця типу 500 для 12 Ω), щоб у блоці R × 1 міг бути більший струм для PN-переходу прямого характеристика судження більш точна. Мультиметр R × 10K блок внутрішньої батареї найкраще перевищує 9 В, так що при вимірюванні PN-переходу зворотний струм витоку є більш точним, інакше витік не може бути виміряний.
Тепер, у зв’язку з прогресом виробничого процесу, фабрична перевірка, тестування дуже суворі, ми зазвичай судимо, якщо рішення MOSFET не протікає, не проривається через коротке замикання, внутрішнє не замикання, може бути розширений на шляху, метод надзвичайно простий:
За допомогою мультиметра R × 10K блок; Внутрішня батарея блоку R × 10K зазвичай становить 9 В плюс 1,5 В до 10,5 В. Ця напруга, як правило, вважається достатньою. Витік інверсії PN-переходу, червона ручка мультиметра є негативним потенціалом (підключена до негативної клеми внутрішньої батареї), чорна ручка мультиметра є позитивним потенціалом (підключена до позитивної клеми внутрішньої батареї).
(2) Процедура випробування:
Підключіть червону ручку до джерела MOSFET S; підключіть чорну ручку до стоку MOSFET D. У цей час індикація голки має бути нескінченною. Якщо є омічний індекс, який вказує на те, що досліджувана трубка має явище витоку, цю трубку не можна використовувати.
Підтримуйте вищевказаний стан; в цей час з резистором 100K ~ 200K, підключеним до затвора та стоку; у цей час стрілка має вказувати кількість Ом, чим менше, тим краще, як правило, може бути вказано до 0 Ом, цього разу це позитивний заряд через резистор 100K на затворі MOSFET, що призводить до електричного поля затвора, через електричне поле, створене провідним каналом, що призводить до провідності стоку та джерела, тому відхилення стрілки мультиметра, кут відхилення великий (показник Ома малий), щоб довести, що продуктивність розряду хороша.
А потім підключений до резистора видалений, тоді покажчик мультиметра все ще повинен бути, MOSFET на індексі залишається незмінним. Хоча резистор забрати, але оскільки резистор затвора, заряджений зарядом, не зникає, електричне поле затвора продовжує підтримувати внутрішній провідний канал, який все ще підтримується, що є характеристикою MOSFET ізольованого затвора.
Якщо резистор, щоб забрати голку, повільно і поступово повернеться до високого опору або навіть повернеться до нескінченності, слід вважати, що вимірюється витік затвора трубки.
У цей час за допомогою дроту, підключеного до затвора і витоку досліджуваної лампи, стрілка мультиметра негайно поверталася на нескінченність. З’єднання дроту таким чином, що вимірюваний MOSFET, звільнення заряду затвора, внутрішнє електричне поле зникає; провідний канал також зникає, тому стік і витік між опором і стають нескінченними.
2, потужна заміна MOSFET
Під час ремонту телевізорів і будь-якого електрообладнання, якщо виявлено пошкодження компонентів, їх слід замінити на такі ж компоненти. Однак іноді тих самих компонентів немає під рукою, необхідно використовувати інші типи заміни, тому ми повинні брати до уваги всі аспекти продуктивності, параметрів, розмірів тощо, наприклад телебачення всередині вихідної трубки лінії, як за умови, що розгляд напруги, струму, потужності, як правило, можна замінити (вихідна трубка лінії майже однакова за зовнішнім виглядом), а потужність має тенденцію бути більшою та кращою.
Для заміни MOSFET, хоча також цей принцип, найкраще створити найкращий прототип, зокрема, не прагнути до збільшення потужності, оскільки потужність велика; вхідна ємність велика, змінена, і схеми збудження не відповідають збудженню резистора обмеження струму заряду схеми зрошення розміру значення опору та вхідної ємності MOSFET пов’язано з вибором потужності великого, незважаючи на ємність велика, але вхідна ємність також велика, і вхідна ємність також велика, а потужність не велика.
Вхідна ємність також велика, схема збудження погана, що, у свою чергу, погіршить продуктивність увімкнення та вимкнення MOSFET. Показана заміна різних моделей МОП-транзисторів з урахуванням вхідної ємності цього параметра.
Наприклад, є 42-дюймовий РК-телевізор з підсвічуванням високовольтної плати, після перевірки пошкодження внутрішньої високої потужності MOSFET, оскільки немає прототипу номер заміни, вибір напруги, струму, потужності не менше ніж оригінальна заміна MOSFET, результатом є безперервне мерехтіння лампи підсвічування (труднощі із запуском), і, нарешті, замінено на аналогічний тип оригіналу, щоб вирішити проблему.
Виявлене пошкодження потужного MOSFET, заміна його периферійних компонентів перфузійної схеми також повинна бути замінена, оскільки пошкодження MOSFET також може бути спричинене поганими компонентами перфузійної схеми, викликаними пошкодженням MOSFET. Навіть якщо сам МОП-транзистор пошкоджений, у момент поломки МОП-транзистора компоненти контуру перфузії також пошкоджуються та повинні бути замінені.
Так само, як у нас є багато розумних ремонтних майстрів в ремонті імпульсного блоку живлення A3; до тих пір, поки комутаційна трубка виходить з ладу, це також передня частина трубки збудження 2SC3807 разом із заміною з тієї ж причини (хоча трубка 2SC3807, виміряна мультиметром, хороша).
Час публікації: 15 квітня 2024 р
