Спосіб виробництва високопотужної схеми управління MOSFET

Є два основних рішення:

Один полягає у використанні спеціальної мікросхеми драйвера для управління MOSFET, або використання швидких фотопар, транзистори утворюють схему для управління MOSFET, але перший тип підходу вимагає забезпечення незалежного джерела живлення; Інший тип імпульсного трансформатора для управління MOSFET, і в схемі імпульсного приводу, як покращити частоту перемикання схеми приводу, щоб збільшити потужність керування, наскільки це можливо, щоб зменшити кількість компонентів, є нагальною потребою вирішитипоточні проблеми.

Перший тип схеми приводу, напівмостовий, вимагає двох незалежних джерел живлення; для повного мосту потрібні три незалежні джерела живлення, як напівмост, так і повний міст, занадто багато компонентів, що не сприяє зниженню витрат.

Другий тип водіння програми, а патент є найближчим рівнем техніки для винаходу назва «високої потужностіMOSFET Патент "схема приводу" (номер заявки 200720309534. 8), патент лише додає опір розряду, щоб звільнити джерело затвора потужного заряду MOSFET, щоб досягти мети вимкнення, спадаючий фронт сигналу ШІМ великий. спадаючий фронт сигналу ШІМ великий, що призведе до повільного відключення MOSFET, втрати потужності дуже великі;

Крім того, робота патентної програми MOSFET чутлива до перешкод, а мікросхема управління ШІМ повинна мати велику вихідну потужність, що робить температуру мікросхеми високою, що впливає на термін служби мікросхеми. Зміст винаходу Метою даної корисної моделі є створення потужної схеми приводу MOSFET, більш стабільної та нульової роботи для досягнення мети цього винаходу технічного рішення корисної моделі - схеми приводу потужного MOSFET, вихід сигналу мікросхема управління ШІМ підключена до первинного імпульсного трансформатора перший вихід of вторинний імпульсний трансформатор з’єднаний з першим затвором MOSFET, другий вихід вторинного імпульсного трансформатора з’єднаний з першим затвором MOSFET, другий вихід вторинного імпульсного трансформатора з’єднаний з першим затвором MOSFET. Перший вихід вторинної обмотки імпульсного трансформатора з’єднаний з затвором першого MOSFET, другий вихід вторинної обмотки імпульсного трансформатора з’єднаний з затвором другого MOSFET, який відрізняється тим, що перший вихід вторинної обмотки імпульсного трансформатора також з’єднаний до першого розрядного транзистора, а другий вихід вторинної обмотки імпульсного трансформатора також підключений до другого розрядного транзистора. Первинна сторона імпульсного трансформатора також підключена до ланцюга зберігання та вивільнення енергії.

Схема вивільнення накопичувача енергії включає резистор, конденсатор і діод, резистор і конденсатор з’єднані паралельно, а вищезгадана паралельна схема з’єднана послідовно з діодом. Корисна модель має корисний ефект. Корисна модель також має перший розрядний транзистор, підключений до першого виходу вторинної обмотки трансформатора, і другий розрядний транзистор, підключений до другого виходу імпульсного трансформатора, так що коли імпульсний трансформатор видає низький рівень Перший MOSFET і другий MOSFET можуть бути швидко розряджені, щоб покращити швидкість вимкнення MOSFET і зменшити втрати на MOSFET. Мікросхема управління ШІМ підключена до МОП-транзистору посилення сигналу між первинним виходом і первинною частиною трансформатора імпульсів, який можна використовувати для посилення сигналу. Вихід сигналу мікросхеми управління ШІМ і первинного імпульсного трансформатора підключено до МОП-транзистора для посилення сигналу, що може додатково покращити керівну здатність сигналу ШІМ.

Первинний імпульсний трансформатор також підключено до ланцюга розблокування накопичувача енергії, коли сигнал ШІМ знаходиться на низькому рівні, схема розблокування накопичувача енергії вивільняє збережену енергію в трансформаторі імпульсів, коли ШІМ має високий рівень, гарантуючи, що затвор джерело першого MOSFET і другого MOSFET надзвичайно низький, що відіграє роль у запобіганні перешкод.

У конкретному варіанті реалізації малопотужний MOSFET Q1 для підсилення сигналу підключено між вихідним контактом сигналу A мікросхеми управління ШІМ і первинною обмоткою імпульсного трансформатора Tl, перший вихідний контакт вторинного імпульсного трансформатора підключений до затвор першого МОП-транзистора Q4 через діод D1 і керуючий резистор Rl, друга вихідна клема вторинної обмотки імпульсного трансформатора з’єднана з затвором другого MOSFET Q5 через діод D2 і керуючий резистор R2, а також перший вихідний термінал вторинної обмотки імпульсного трансформатора також підключений до першого тріода стоку Q2, а другий тріод стоку Q3 також підключений до другого тріода стоку Q3. MOSFET Q5, перша вихідна клема вторинної обмотки імпульсного трансформатора також підключена до першого стокового транзистора Q2, а друга вихідна клема вторинної обмотки імпульсного трансформатора також підключена до другого стокового транзистора Q3.

Затвор першого МОП-транзистора Q4 підключений до стокового резистора R3, а затвор другого МОП-транзистора Q5 з’єднаний зі стоковим резистором R4. первинна частина імпульсного трансформатора Tl також підключена до схеми накопичення та вивільнення енергії, а схема накопичення та вивільнення енергії включає резистор R5, конденсатор Cl і діод D3, а резистор R5 і конденсатор Cl з’єднані в паралельно, а згадана паралельна ланцюг з'єднана послідовно з діодом D3. вихід сигналу ШІМ від мікросхеми управління ШІМ підключається до малопотужного MOSFET Q2, а малопотужний MOSFET Q2 підключається до вторинної обмотки імпульсного трансформатора. посилюється малопотужним MOSFET Ql і виводиться на первинну обмотку імпульсного трансформатора Tl. Коли сигнал ШІМ високий, перша вихідна клема та друга вихідна клема вторинної обмотки імпульсного трансформатора Tl виводять сигнали високого рівня, щоб привести перший MOSFET Q4 і другий MOSFET Q5 в провідність.

Коли сигнал ШІМ низький, перший вихід і другий вихід вторинного виходу імпульсного трансформатора Tl видають сигнали низького рівня, перший сток-транзистор Q2 і другий сток-транзистор Q3 провідність, перша ємність затвора MOSFETQ4 через сток-резистор R3, перший транзистор стоку Q2 для розряду, другий MOSFETQ5 ємність джерела затвора через стік резистор R4, другий транзистор стоку Q3 для розряду, ємність джерела другого затвора MOSFETQ5 через резистор стоку R4, другий транзистор стоку Q3 для розряду, ємність джерела другого затвора MOSFETQ5 через резистор стоку R4, другий транзистор стоку Q3 для розряду . Ємність витоку другого затвора MOSFETQ5 розряджається через стоковий резистор R4 і другий стоковий транзистор Q3, так що перший MOSFET Q4 і другий MOSFET Q5 можна вимкнути швидше, а втрату потужності можна зменшити.

Коли ШІМ-сигнал низький, схема вивільнення накопиченої енергії, що складається з резистора R5, конденсатора Cl і діода D3, вивільняє збережену енергію в імпульсному трансформаторі, коли ШІМ високий, гарантуючи, що джерело затвора першого MOSFET Q4 і другого MOSFET Q5 надзвичайно низький, що служить для захисту від перешкод. Діод Dl і діод D2 проводять вихідний струм однонаправлено, таким чином забезпечуючи якість сигналу ШІМ, і в той же час він також відіграє певну роль захисту від перешкод.