Три контакти MOSFET, як я можу їх відрізнити?

I. Ідентифікація PIN-коду

Ворота (G):Зазвичай він позначається буквою "G" або його можна ідентифікувати, вимірявши опір двох інших контактів, оскільки затвор має дуже високий імпеданс у неактивному стані та незначним чином пов’язаний з двома іншими контактами.

Джерело (S):Зазвичай позначений як «S» або «S2», це вхідний контакт струму, який зазвичай підключається до мінусової клеми MOSFET.

Дренаж (D):Зазвичай позначається «D», це штифт струму, який підключається до плюсової клеми зовнішнього ланцюга.

II. Функція Pin

Ворота (G):Це ключовий висновок, який керує перемиканням MOSFET, контролюючи напругу на затворі для керування вмиканням і вимкненням MOSFET. У відключеному стані імпеданс затвора, як правило, дуже високий, без значного зв’язку з двома іншими контактами.

Джерело (S):є вхідним контактом струму і зазвичай підключається до мінусової клеми MOSFET. У NMOS джерело зазвичай заземлено (GND); в PMOS джерело може бути підключено до позитивного джерела живлення (VCC).

Дренаж (D):Це штифт виходу струму, який підключається до плюсової клеми зовнішнього ланцюга. У NMOS стік підключений до позитивного живлення (VCC) або навантаження; в PMOS стік підключений до землі (GND) або навантаження.

III. Методи вимірювання

Використовуйте мультиметр:

Встановіть мультиметр на відповідне значення опору (наприклад, R x 1k).

Використовуйте мінусову клему мультиметра, підключеного до будь-якого електрода, іншу ручку по черзі торкайтеся двох інших полюсів, щоб виміряти його опір.

Якщо два виміряних значення опору приблизно рівні, негативний контакт пера для затвора (G), оскільки опір між затвором і двома іншими контактами зазвичай дуже великий.

Далі мультиметр буде набрано на шестерню R × 1, чорну ручку підключено до джерела (S), червону ручку підключено до стоку (D), виміряне значення опору має бути від кількох Ом до десятків Ом, що вказує на що джерело і стік між конкретними умовами можуть бути провідними.

Зверніть увагу на розташування штифтів:

Для МОП-транзисторів із чітко визначеним розташуванням контактів (наприклад, у деяких формах упаковки) розташування та функцію кожного висновку можна визначити, подивившись на схему розташування контактів або таблицю даних.

IV. Запобіжні заходи

Різні моделі МОП-транзисторів можуть мати різне розташування контактів і маркування, тому перед використанням найкраще ознайомитися з технічною таблицею або кресленням упаковки для конкретної моделі.

Вимірюючи та підключаючи контакти, обов’язково звертайте увагу на захист від статичної електрики, щоб уникнути пошкодження MOSFET.

МОП-транзистори є пристроями, керованими напругою, з високою швидкістю перемикання, але в практичних застосуваннях все одно необхідно приділяти увагу конструкції та оптимізації схеми приводу, щоб переконатися, що МОП-транзистор може працювати належним чином і надійно.

Таким чином, три контакти MOSFET можна точно розрізнити різними способами, такими як ідентифікація контактів, функція контактів і методи вимірювання.